
A-3
ENGLISH
for DVD-ROM or DVD-RAM
LASER Specification
Type: Semiconductor laser InGaAlP / GaAs
Wave Length: 650 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Output Power: 0.33 mW
Laser-Daten: (For German)
Typ: InGaAlP / GaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge: 650 ± 15 nm
Divergenz:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typisch 27 °)
Ausgangsleistung: 0,33 mW
LASER: (For French)
Type:Laser semi-conducteur InGaAlP/ GaAs
Longueur d’ondes: 650 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Environ 27 °)
Puissance de sortie: 0,33 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ: Laserhalvedare InGaAlP / GaAs
Våglängd: 650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typiskt 27 °)
Uteffekt: 0,33 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type: Halvleder laser InGaAlP / GaAs
Bølgelengde: 650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typisk 27 °)
Utgangseffekt: 0,33 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type: Semiconductor InGaAlP / GaAs
Bølge-længde: 650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typisk 27 °)
Udgang-effekt: 0,33 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi: Laserpuolijohdin InGaAlP / GaAs
Aallon pituus: 650 ± 15 nm
Hajaantuminen:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Tyypillinen 27 °)
Teho: 0,33 mW
for CD-R/RW or CD-ROM
LASER Specification
Type: Semiconductor laser GaAlAs
Wave Length: 785 ± 5 nm
Divergence:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typical 16 °)
Output Power: Read = 1.0 mW
Write = 64 mW
Laser-Daten: (For German)
Typ: GaAlAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge: 785 ± 5 nm
Divergenz:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typisch 16 °)
Ausgangsleistung: Lesen = 1,0 mW
Schreiben = 64 mW
LASER: (For French)
Type: Laser semi-conducteur GaAlAs
Longueur d’ondes: 785 ± 5 nm
Divergence:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Environ 16 °)
Puissance de sortie: Lecture = 1,0 mW
Ecriture = 64 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ: Laserhalvedare GaAlAs
Våglängd: 785 ± 5 nm
Divergens:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typiskt 16 °)
Uteffekt: Läsning = 1,0 mW
Skrivning = 64 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type: Halvleder laser GaAlAs
Bølgelengde: 785 ± 5 nm
Divergens:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typisk 16 °)
Utgangseffekt: Lese = 1,0 mW
Skrive = 64 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type: Semiconductor GaAlAs
Bølge-længde: 785 ± 5 nm
Divergens:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typisk 16 °)
Udgang-effekt: Læse = 1,0 mW
Skrive = 64 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi: Laserpuolijohdin GaAlAs
Aallon pituus: 785 ± 5 nm
Hajaantuminen:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Tyypillinen 16 °)
Teho: Lue = 1,0 mW
Kirjoita = 64 mW