www.mauritron.com
www.mauritron.com
(
(
der
es
ermoglicht.
einen dynamischen Tonab-
nehmer (MC-moving coil = bewegte Spule)
direkt
anzuschlief1.en. Dank eines rauscharmen
Feldeffekttransistors (FET) und 4 Transistoren
in der rein komplementaren Gegentaktschal-
tung,
liefert
dieser Vorverstarker einen Rausch-
abstand von 68 dB und eine Verzerrung von nur
0.01%.
Der Entzerrerverstarker ist ausgerustet
mit
7
Transistoren in der rein komplementaren
Ge-
gentaktschaltung und 2 rauscharmen FETs.
angeordnet als Differentialschaltung in der
ersten Stufe. Dieser
Aufbau
liefert einen Rau-
schabstand von 86 dB und eine Verzerrung
von
nur
0.002%.
Daruberhinaus betragt die R
IAA
Abweichung
± 0.2 dB uber einen Frequenzbereich von
20
Hz -20
kHz.
und die
gr611.te
Phono-Nutz·
Jeistung liegt
be1
300
mV
(MM: bei 1 kHz
T.H.D. 0.01%).
Das
sorgt bei Musikwiedergabe
fUr
ein sattes Raumklangbild.
CARACTERISTIQUES
1. Una
conception
destinee a
obtenir
une faible
distorsion
tout
le
long
d'une
bande tres large
pour une qualite sonore superieure
Le
POWER MOS FET
se
caracterise par
une
impedance elevee d'entree et constitue un
dispositif
d'entrainement
de tension.
Ces
deux
avantages permettent
d'obtenir
un gain
de
puissance tres eleve et une configuration
de
circuit
de conception simple. Voila pourquoi
le
niveau de
bruit
parasite
est
reduit a
son
mini-
mum ainsi que
le
glissement de phase. oeux
phenomenes
qui
exercent un
effet
nuisible
sur
la
qualite sonore. Voila
pourquoi.
aussi. ii
n'y
aucune deterioration
en
ce
qui concerne
le
facteur de distorsion.
En
plus.
la
reponse
en
frequence est excellente.
la
v1tesse
de
com-
mutation
est rapide, et on
est
assure
d'un
fonctionnement
stable meme dans
le
domaine
des
hautes frequences
avec
une distorsion
de
cran reduite
de
fa<;:on
remarquable. Cette
conception permet
d'obtenir
un tres
bas
fac-
teur de distorsion
tout
le
long d'une
vaste
bande
avec
un
debit
de puissance continue
de
65 watts
minimum
par canal
sous
8 ohms
(20 Hz -20 kHz) avec une distorsion harmo-
nique totale
ne
depassant
pas
0.02%.
2.
Un
amplificateur
CC
permettant
une transmis-
sion precise de
l'onde
sonore
Cet amplificateur
CC
presente un pre-amplifica-
teur a bobine mobile (MC). un amplificateur
d'egalisation, un
amplificateur
de
tonalite et
un amplificateur principal.
L'on
a supprime
les
condensateurs dans
la
boucle
de
centre-reaction
et meme dans le montage d'entree. Cela permet
d'ameliorer
les
caracteristiques de phase.
3.
Alimentation independante en puissance gauche
et droite
Les
reactions
de
traverse instantanees a travers
les
alimentations
en
puissance
ont
ete eliminees
en
installant
des
transformateurs
de
puissance
ind~pendants
gauche et
droit.
Ouatre conden-
sateurs
d'une
capacite
de
12
OOO
µF
sont
em-
ployes
(pour
chaque canal) avant une
capa-
cite totale de 48
OOO
µF. Chacun d'eux
se
carac-
terise par une reponse amelioree dans
le
do
ma
I
ne
des
hautes frequences et ceci
concourt
a staoili-
ser
la
reponse toute ent1ere depuis
le
doma1ne
des
hautes frequences
1usqu·a
celu1
des
oasses
-5-
.
-~~':("
~-:·~
...
·
...
:-:.."oo(
..
~
....
,..,.
·-
HITACHI
HA-7700
5. PHONO-Wahlschalter
Plattenspieler. ausgerustet
mit
MC (moving
coil =bewegte Spule) oder MM (moving mag-
net = bewegter Magnet) Tonabnehmersystem.
konnen entweder
an
die PHON0-1 oder
PHO
NO·
2 Plattenspieler-Eingangsklemmen angeschlossen
werden. Die zwei Systeme konnen dann
an
der
Frontbedienungstafel
mit
dem Phono·Schalter
wahlwe1se eingestellt werden. Weiterhin kann
bei angeschlossenem MM-Tonabnehmer der
Abschluf1.widerstand auf eine der vier Stufen
eingestellt werden.
wodurch
Horgenur... auf-
grund feinster Abanderungen der Klangqualitat.
gewonnen wird.
6. HOchstzuverlassige Schutzschaltung
Zurn Schutz der POWER MOS FET·Leistungs-
stufe sind eine Stromsp1egelschaltung, die den
Bere1ch
sicherer
Funktion
erfaf1.t.
und eine
Gleichspannungsnachweisschaltung eingebaut.
Dieser Schaltkreis besitzt eine hohe Zuverlassig-
keit und beherrscht leicht auftretende Stiirun-
gen.
frequences
de
facon a
obtenir
une qualite.
sonore etonnante.
4.
Un
pre-amplificateur
MC
et
un amplificateur
d'egalisation pour
obtenir
un meilleur rapport
signal/bruit
Ce
modele
est
muni
d'un
pre-ampl ificateur
MC
qui permet
de
relier directement
des
cellules a
bobine mobile (MC). Grace
au
FET (Transistor
a
effet
de
champ) de reduction
de
bruit
et aux
quatre transistors du
circuit
complementaire
svmetrique.
ce
pre-amplificateur permet d'ob-
tenir un rapport signal/bruit
de
68 dB et un
taux
de
distors1on
de
0,01
%.
L'amplificateur d'egalisation est muni
d'un
circuit
symetrioue complementaire
pur
a 7
transistors
avec
2 FET
de
reduction du
bruit
montes comme un
circuit
difforentiel
au
pre-
mier etage. Cene conception permet
d'obtenir
un rapport signal/bruit de 86 dB
et
un taux
de
distorsion
de
0.002%.
Oui plus est.
la
deviation
RIAA
est
de ±0.2 dB
le
long d'une gamme
de
frequence
de
20
Hz
a 20 kHz et
le
niveau
de
surcharge phono
est
de
300
mV
(MM: a1 kHz D.H.T. 0,01%).
Cela
permet d'obtenir une
reproduction
musical~
d'une grande exactitude.
5.
Un
commutateur
de selection PHONO
Les
cellules a bobine mobile (MC) OU a aimant
mobile (MM) peuvent etre reliees aux bornes
PHON0-1 ou
PHON0-2
et
l'on
peut
les
choisir
en
utilisant
le
commutateur
de
selection
PHONO qui
se
trouve sur
le
panneau avant. Oui
plus est. lorsque
l'on
a branche une cellule a
aimant mobile. ii
est
possible de regler !'impe-
dance
de
charge
sur
quatre positions
ce
qui per-
met
d'obtenir
de subtils changements dans
la
quaIite
son
ore augmentant ainsi le plaisir
de
l'ecoute.
6,
Circuit de protection a
haute
fiabilite
Dans
le
but
de
proteger efficacement
le
POWER
MOS FET. un
circuit
a
miroir
courant qui
permet
de
determiner J'espace
de
fonct1onne-
ment
de
securite. et un
circuit
de detection
de
tension a courant
continu.
ont
ete installes.
Ces
c1rcu1ts
se
caracterisent par un niveau
de
fiabilite eleve
QUI
permet
de
proteger efficace-
ment I'appare1llage et
de
faire face aux
inc1·
dents eventuels.
